Bol 99,- 99,- Bekijk 
Amazon.nl Bekijk prijs The rapidly-growing data throughput rates in a wide range of wireless communication applications are pushing the established semiconductor device technologies to their limits. Considerably higher levels of solid-state output power will therefore be needed to meet the demand in the next generation satellite communications as well as the RADAR systems. Owing to their superior material properties such as high breakdown fields and peak electron veloc...
De GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors. is een populaire optie voor Technologie & Bouwkunde. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
GaN-Based Tri-Gate High Electron Mobility Transistors. is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.
