As device dimensions decrease, hot-carrier effects, which are due mainly to the presence of a high electric field inside the device, are becoming a major design concern. On the one hand, the detrimental effects-such as transconductance degradation and threshold shift-need to be minimized or, if possible, avoided altogether. On the other hand, performance- such as the programming efficiency of nonvolatile memories or the carrier velocity inside th...
De Hot Carrier Design Considerations for MOS Devices and Circuits is een populaire optie voor Interdisciplinaire studies. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
Hot Carrier Design Considerations for MOS Devices and Circuits is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.