Epitaxial integration of III-V semiconductors on silicon substrates has been desired over decades for high application potential in microelectronics, photovoltaics, and beyond. The performance of optoelectronic devices is still severely impaired by critical defect mechanisms driven by the crucial polar-on-nonpolar heterointerface. This thesis reports almost lattice-matched growth of thin gallium phosphide films as a viable model system for III-V/...
De GaP Heteroepitaxy on Si(100) is een populaire optie voor Elektronische, magnetische, optische materialen. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
GaP Heteroepitaxy on Si(100) is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.