What seems routine today was not always so. The field of Si-based heterostructures rests solidly on the shoulders of materials scientists and crystal growers, those purveyors of the semiconductor black arts associated with the deposition of pristine films of nanoscale dimensionality onto enormous Si wafers with near infinite precision. We can now grow near-defect free, nanoscale films of Si and SiGe strained-layer epitaxy compatible with conven...
De SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices is een populaire optie voor Apparaten & Materialen. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.