Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 n - Prijzen

This thesis presents the SiGe source and drain (S/D) technology in the context of advanced CMOS, and addresses both device processing and epitaxy modelling. As the CMOS technology roadmap calls for continuously downscaling traditional transistor structures, controlling the parasitic effects of transistors, e.g. short channel effect, parasitic resistances and capacitances is becoming increasingly difficult. The emergence of these problems sparked...

De Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 n is een populaire optie voor Stroomketens & Componenten. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.

Productspecificaties

Waar te koop

Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 n is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.