Bol 75,99 75,99 Bekijk 
Amazon.nl Bekijk prijs Electrical characterization has been performed on p-type 4H-SiC implanted with Al or B to assess the activation efficiency and implantation-related damage recrystallization. The electrical technique of Temperature Dependent Hall Effect (TDHE) indicated that Al and B act as shallow acceptors in 4H-SiC with ionization energies of 252 and 285 meV, respectively. However, the deeper B level (600 meV) was not observed. Measurements of the electrically...
De Electrical Characterization of Non-Implanted 4h-Silicon Carbide is een populaire optie voor Onderwijs & Didactiek. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
Electrical Characterization of Non-Implanted 4h-Silicon Carbide is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.
