Luminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Alluminum Gallium Nitride - Prijzen

Recently, research on the wide bandgap semiconductors such as GaN and AlxGa1-xN became very popular for their applications on various devices. Therefore comprehensive and systematic luminescence studies of Si implanted AlxGa1-xN, Mg doped GaN, and Si+N implanted GaN grown on sapphire substrates by molecular beam epitaxial method have been made as a function of ion dose and anneal temperature. The ions were implanted at 200 keV with doses ranging...

De Luminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Alluminum Gallium Nitride is een populaire optie voor Onderwijs & Didactiek. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.

Productspecificaties

Waar te koop

Luminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Alluminum Gallium Nitride is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.

Luminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Alluminum Gallium Nitride
meer afbeeldingen
  • EAN9781288405916
40.997.268producten
147.332merken
928winkels