The Effect of Radiation on the Electrical Properties of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride Heterostructures - Prijzen

AlGaN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors (HFETs) were irradiated at low temperature and the temperature dependent changes to drain current, gate current, capacitance, and transconductance were measured. The results were compared to the charge control model of the drain current and trap-assisted tunneling model of the gate current to determine the source of the radiation-induced changes. AlGaN/GaN HFETs demonstrated threshold voltage shif...

De The Effect of Radiation on the Electrical Properties of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride Heterostructures is een populaire optie voor Onderwijs & Didactiek. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.

Productspecificaties

Waar te koop

The Effect of Radiation on the Electrical Properties of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride Heterostructures is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.