Bol 75,99 75,99 Bekijk 
Amazon.nl Bekijk prijs Aluminum gallium nitride (AlGaN)-based devices are attractive candidates for integration into future Air Force communication and sensor platforms, including those that must operate in harsh radiation environments. In this study, the electrical and optical properties of 1.0 MeV electron irradiated n-AlxGa1-xN are characterized for aluminum mole fraction x = 0.0 to 0.3 using deep level transient spectroscopy (DLTS), temperature-dependent Hall, and...
De Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy is een populaire optie voor Onderwijs & Didactiek. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam Epitaxy is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.
