Sensitivity Analysis of Algan/Gan High Electron Mobility Transistors to Process Variation - Prijzen

A sensitivity analysis of AlGaN/GaN HEMT performance on material and process variations was performed. Aluminum mole fraction, barrier thickness, and gate length were varied 5% over nominal values to determine how sensitive simulated device performance was to changes in these 3 parameters. Simulated data was generated with the Synopsys TCAD software suite using a physics-based HEMT model. To validate model performance, simulated data was correlat...

De Sensitivity Analysis of Algan/Gan High Electron Mobility Transistors to Process Variation is een populaire optie voor Onderwijs & Didactiek. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.

Productspecificaties

Waar te koop

Sensitivity Analysis of Algan/Gan High Electron Mobility Transistors to Process Variation is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.