Thin films of GaN, Al0.1Ga0.9N, and ZnO were implanted with Cr, Mn, and nickel Ni to produce dilute magnetic semiconductors. Optical and magnetic techniques were used to evaluate crystal structure restoration and coercive field strength as a function of implant species and annealing temperature. Maximum crystal restoration was obtained for Al0.1Ga0.9N after annealing at 675 oC; for Cr implanted p-GaN after annealing at 750 oC; for Mn or Ni implan...
De Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors is een populaire optie voor Onderwijs & Didactiek. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
Optical Investigation of Transition Metal Implanted Wide Band Gap Semiconductors is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.