Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications - Prijzen

Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5A, a 10 year reliable device operation cannot be guaranteed anymore due to severe Negative Bias Temperature Instability. This book focuses on the reliability...

De Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications is een populaire optie voor Elektronische, magnetische, optische materialen. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.

Productspecificaties

Waar te koop

Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.