Bol 95,- 95,- Bekijk 
Amazon.nl Bekijk prijs Instabilities associated with hot electrons in semiconductors have been investigated from the beginning of transistor physics in the 194Os. The study of NDR and impact ionization in bulk material led to devices like the Gunn diode and the avalanche-photo-diode. In layered semiconductors domain formation in HEMTs can lead to excess gate leakage and to excess noise. The studies of hot electron transport parallel to the layers in heterostructures, s...
De Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors is een populaire optie voor Elektrotechniek. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.
Negative Differential Resistance and Instabilities in 2-D Semiconductors is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.
