Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics - Prijzen

What effects would take place by doping nitrogen into high-k gate dielectric like SiON? In this study, nitrogen incorporation in Hf-based gate dielectric (HfO2 and HfSiO) has been studied. Thermal nitridation of Si prior to HfO2 deposition is one of the methods for incorporating N. However, it resulted in degraded interface. Thus, top nitridation was explored to prevent oxygen and boron penetration into Si substrate while maintaining high-k/Si in...

De Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics is een populaire optie . Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.

Waar te koop

Nitrogen incorporation into high-k gate dielectrics is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.