Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. - Prijzen

Heavily doped silicon is required for devices such as PowerMOSFETs. For the devices to be as sufficient as possible it is necessary to lower the electrical resistivity of the silicon substrate as low as possible. Yet, during the growth of heavily n-type doped silicon by the Czochralski method dislocation formation occurs frequently, reducing yield. Thus this work covers the topics intrinsic point defects, electrical activity of dopant atoms, spre...

De Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. is een populaire optie voor Technologie & Bouwkunde. Esy heeft 1 prijs gevonden, de goedkoopste keuze is volgens ons Bol, maar bekijk de andere aanbieders om het zeker te weten. Links openen in een nieuwe tabblad. Bekijk hier onder de product specificaties. Meer product informatie beschikbaar bij Bol.

Productspecificaties

Waar te koop

Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. is onder andere te koop bij: Bol. Esy raadt altijd aan om meerdere aanbieders te bekijken om geen last minute deals mis te lopen.